韩联社8月19日消息，星电心李席动三星电子副会长李在镕19日先后访问公司位于京畿道器兴和华城的时隔式重半导体厂，盘点半导体事务。年再这是于韩营线李在镕在光复节获特赦重返经营一线后的第一个公开日程。

李在镕当天出席在京畿道器兴园区举行的国新工仪下一代半导体研发（R D）园区动工仪式。他表示，建研公司器兴半导体厂破土动工已过40年，发中返经今天在此再次开始新的镕出挑战。没有对研发的星电心李席动大胆投资就不会有如今的三星半导体，让我们秉承“重视技术、时隔式重先行投资”的年再传统，以前所未有的于韩营线全新技术创造未来。

据韩国《亚洲日报》报道，国新工仪该园区是建研三星电子自2014年之后时隔8年在国内新建研发中心。该研发园区总面积约10.9万平方米，发中返经将主管NAND闪存、晶圆代工、系统新片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。

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